CZ Silicon Wafer

Disgrifiad

CZ Single Crystal Wafer Silicon yn cael ei sleisio o ingot silicon grisial sengl wedi'i dynnu gan ddull twf Czochralski CZ, a ddefnyddir yn fwyaf eang ar gyfer twf grisial silicon o ingotau silindrog mawr a ddefnyddir yn y diwydiant electroneg i wneud dyfeisiau lled-ddargludyddion.Yn y broses hon, cyflwynir hedyn main o silicon grisial gyda goddefiannau cyfeiriadedd manwl gywir i'r baddon tawdd o silicon y mae ei dymheredd yn cael ei reoli'n fanwl gywir.Mae'r grisial hadau yn cael ei dynnu'n araf i fyny o'r toddi ar gyfradd reoledig iawn, mae solidiad crisialog atomau o gyfnod hylif yn digwydd ar ryngwyneb, mae'r grisial hadau a'r crucible yn cael eu cylchdroi i gyfeiriadau gwahanol yn ystod y broses dynnu'n ôl hon, gan greu sengl fawr silicon grisial gyda strwythur crisialog perffaith yr hadau.

Diolch i'r maes magnetig a gymhwysir i'r tyniad ingot CZ safonol, mae silicon grisial sengl Czochralski MCZ a achosir gan faes magnetig â chrynodiad amhuredd cymharol is, lefel ocsigen a dadleoliad is, ac amrywiad gwrthedd unffurf sy'n perfformio'n dda mewn cydrannau a dyfeisiau electronig technoleg uchel. gwneuthuriad mewn diwydiannau electronig neu ffotofoltäig.

Cyflwyno

Gellir darparu dargludedd math n a math p-math-math a p-math-p yn Western Minmetals Corporation (SC) CZ neu MCZ o ddiamedr 2, 3, 4, 6, 8 a 12 modfedd (50, 75, 100, 125, 150, 200 a 300mm), cyfeiriadedd <100>, <110>, <111> gyda gorffeniad wyneb wedi'i lapio, ysgythru a'i sgleinio mewn pecyn o flwch ewyn neu gasét gyda blwch carton y tu allan.

Ymholiad nawr

Manylion

Tagiau

Manyleb Technegol

CZ Silicon Wafer

CZ Single Crystal Wafer Silicon yw'r deunydd sylfaenol wrth gynhyrchu cylchedau integredig, deuodau, transistorau, cydrannau arwahanol, a ddefnyddir ym mhob math o offer electronig a dyfeisiau lled-ddargludyddion, yn ogystal â swbstrad mewn prosesu epitaxial, swbstrad waffer SOI neu saernïo wafferi cyfansawdd lled-inswleiddio, yn enwedig mawr diamedr o 200mm, 250mm a 300mm sydd orau ar gyfer gweithgynhyrchu dyfeisiau tra integredig iawn.Mae Single Crystal Silicon hefyd yn cael ei ddefnyddio ar gyfer celloedd solar mewn symiau mawr gan y diwydiant ffotofoltäig, sydd bron yn strwythur grisial perffaith yn cynhyrchu'r effeithlonrwydd trosi golau-i-drydan uchaf.

Nac ydw.	Eitemau	Manyleb Safonol
1	Maint	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Diamedr mm	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	150±0.5	200±0.5	300±0.5
3	Dargludedd	P neu N neu heb ei dopio
4	Cyfeiriadedd	<100>, <110>, <111>
5	Trwch μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 neu yn ôl yr angen
6	Gwrthedd Ω-cm	≤0.005, 0.005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 ac ati
7	RRV uchafswm	8%, 10%, 12%
8	Fflat Cynradd/Hyd mm	Fel safon SEMI neu yn ôl yr angen
9	Fflat Eilaidd / Hyd mm	Fel safon SEMI neu yn ôl yr angen
10	TTV μm ar y mwyaf	10	10	10	10	10	10
11	Bow & Warp μm ar y mwyaf	30	30	30	30	30	30
12	Gorffen Arwyneb	As-torri, L/L, P/E, P/P
13	Pacio	Blwch ewyn neu gasét y tu mewn, blwch carton y tu allan.

Symbol	Si
Rhif Atomig	14
Pwysau Atomig	28.09
Categori Elfen	Metalloid
Grŵp, Cyfnod, Bloc	14, 3, t
Strwythur grisial	Diemwnt
Lliw	Llwyd tywyll
Ymdoddbwynt	1414°C, 1687.15K
Berwbwynt	3265°C, 3538.15 K
Dwysedd o 300K	2.329 g/cm³
Gwrthedd cynhenid	3.2E5 Ω-cm
Rhif CAS	7440-21-3
Rhif CE	231-130-8

CZ neu MCZ Crystal Wafer Silicon SenglGellir cyflwyno dargludedd math n a math-p yn Western Minmetals (SC) Corporation mewn maint o 2, 3, 4, 6, 8 a 12 modfedd diamedr (50, 75, 100, 125, 150, 200 a 300mm), cyfeiriadedd <100>, <110>, <111> gyda gorffeniad arwyneb o fel-torri, lapped, ysgythru a sgleinio mewn pecyn o flwch ewyn neu gasét gyda blwch carton y tu allan.