Gallium Nitride GaN

Disgrifiad

Gallium Nitride GaN, CAS 25617-97-4, màs moleciwlaidd 83.73, strwythur grisial wurtzite, yn lled-ddargludydd band-bwlch cyfansawdd deuaidd uniongyrchol o grŵp III-V a dyfir gan ddull proses amonothermol datblygedig iawn.Wedi'i nodweddu gan ansawdd crisialog perffaith, dargludedd thermol uchel, symudedd electronau uchel, maes trydan critigol uchel a bwlch band eang, mae gan Gallium Nitride GaN nodweddion dymunol mewn cymwysiadau optoelectroneg a synhwyro.

Ceisiadau

Mae Gallium Nitride GaN yn addas ar gyfer cynhyrchu cydrannau LEDs deuodau allyrru golau llachar cyflymder uchel a chynhwysedd uchel, dyfeisiau laser ac optoelectroneg fel laserau gwyrdd a glas, cynhyrchion transistorau symudedd electronau uchel (HEMTs) ac mewn cynhyrchion pŵer uchel. a diwydiant gweithgynhyrchu dyfeisiau tymheredd uchel.

Cyflwyno

Gellir darparu Gallium Nitride GaN yng Nghorfforaeth Western Minmetals (SC) mewn maint wafer crwn 2 fodfedd ”neu 4” (50mm, 100mm) a wafer sgwâr 10 × 10 neu 10 × 5 mm.Mae unrhyw faint a manyleb wedi'i addasu ar gyfer yr ateb perffaith i'n cwsmeriaid ledled y byd.

Ymholiad nawr

Manylion

Tagiau

Manyleb Technegol

Gallium Nitride GaN

Gallium Nitride GaNyng Nghorfforaeth Western Minmetals (SC) gellir ei ddarparu o ran maint afrlladen gron 2 fodfedd neu 4 ” (50mm, 100mm) a wafer sgwâr 10 × 10 neu 10 × 5 mm.Mae unrhyw faint a manyleb wedi'i addasu ar gyfer yr ateb perffaith i'n cwsmeriaid ledled y byd.

Nac ydw.	Eitemau	Manyleb Safonol
1	Siâp	Cylchlythyr	Cylchlythyr	Sgwâr
2	Maint	2"	4"	--
3	Diamedr mm	50.8±0.5	100±0.5	--
4	Hyd Ochr mm	--	--	10x10 neu 10x5
5	Dull Twf	HVPE	HVPE	HVPE
6	Cyfeiriadedd	awyren C (0001)	awyren C (0001)	awyren C (0001)
7	Math Dargludedd	Math N/Si-doped, Heb dopio, Lled-inswleiddio
8	Gwrthedd Ω-cm	<0.1, <0.05, >1E6
9	Trwch μm	350±25	350±25	350±25
10	TTV μm ar y mwyaf	15	15	15
11	Bow μm uchafswm	20	20	20
12	DPC cm-2	<5E8	<5E8	<5E8
13	Gorffen Arwyneb	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
14	Garwedd Arwyneb	Blaen: ≤0.2nm, Cefn: 0.5-1.5μm neu ≤0.2nm
15	Pacio	Cynhwysydd waffer sengl wedi'i selio mewn bag Alwminiwm.

Fformiwla Llinol	GaN
Pwysau Moleciwlaidd	83.73
Strwythur grisial	Sinc blende / Wurtzite
Ymddangosiad	solet tryloyw
Ymdoddbwynt	2500 ° C
Berwbwynt	Amh
Dwysedd o 300K	6.15 g/cm³
Bwlch Ynni	(3.2-3.29) eV ar 300K
Gwrthedd cynhenid	>1E8 Ω-cm
Rhif CAS	25617-97-4
Rhif CE	247-129-0

Gallium Nitride GaNyn addas ar gyfer cynhyrchu'r cydrannau LEDs deuodau allyrru golau llachar blaengar, cyflymder uchel a chynhwysedd uchel, dyfeisiau laser ac optoelectroneg fel laserau gwyrdd a glas, cynhyrchion transistorau symudedd electronau uchel (HEMTs) ac mewn cynhyrchion pŵer uchel ac uchel- diwydiant gweithgynhyrchu dyfeisiau tymheredd.