Gallium Phosphide GaP

Disgrifiad

Mae Gallium Phosphide GaP, lled-ddargludydd pwysig o eiddo trydanol unigryw fel deunyddiau cyfansawdd III-V eraill, yn crisialu yn y strwythur ZB ciwbig thermodynamig sefydlog, yn ddeunydd crisial semitransparent oren-melyn gyda bwlch band anuniongyrchol o 2.26 eV (300K), sef wedi'i syntheseiddio o gallium a ffosfforws purdeb uchel 6N 7N, a'i dyfu'n grisial sengl gan dechneg Czochralski Encapsulated Liquid (LEC).Mae grisial Gallium Phosphide yn sylffwr neu tellurium wedi'i ddopio i gael lled-ddargludydd math n, a sinc wedi'i ddopio fel dargludedd math-p i'w wneud ymhellach i wafferi dymunol, sydd â chymwysiadau mewn system optegol, dyfeisiau electronig a dyfeisiau optoelectroneg eraill.Gellir paratoi wafer Grisial Sengl GaP yn barod ar gyfer eich cais epitaxial LPE, MOCVD ac MBE.Gellir cynnig math p math-p, math n neu ddargludedd heb ei dopio yn Western Minmetals (SC) afrlladen GaP grisial sengl o ansawdd uchel mewn maint 2 ″ a 3” (50mm, diamedr 75mm), cyfeiriadedd <100>, <111 > gyda gorffeniad arwyneb y broses fel-toriad, caboledig neu epi-parod.

Ceisiadau

Gyda cherrynt isel ac effeithlonrwydd uchel mewn allyrru golau, mae wafer GaP Gallium phosphide yn addas ar gyfer systemau arddangos optegol fel deuodau allyrru golau coch, oren a gwyrdd cost isel (LEDs) ac ôl-olau LCD melyn a gwyrdd ac ati a gweithgynhyrchu sglodion LED gyda disgleirdeb isel i ganolig, mae GaP hefyd yn cael ei fabwysiadu'n eang fel y swbstrad sylfaenol ar gyfer gweithgynhyrchu synwyryddion isgoch a chamerâu monitro.

Ymholiad nawr

Manylion

Tagiau

Manyleb Technegol

Gallium Phosphide GaP

Gellir cynnig afrlladen GaP Gallium Phosphide Grisial sengl o ansawdd uchel neu fath-p swbstrad, math n neu ddargludedd heb ei dopio yn Western Minmetals (SC) Corporation mewn maint o 2 ″ a 3” (50mm, 75mm) mewn diamedr, cyfeiriadedd <100> , <111> gyda gorffeniad wyneb o fel-torri, lapped, ysgythru, caboledig, epi-parod wedi'i brosesu mewn cynhwysydd wafferi sengl selio mewn bag cyfansawdd alwminiwm neu fel manyleb addasu i'r ateb perffaith.

Nac ydw.	Eitemau	Manyleb Safonol
1	Maint GaP	2"
2	Diamedr mm	50.8 ± 0.5
3	Dull Twf	LEC
4	Math Dargludedd	Math P/Zn-doped, N-math/(S, Si, Te)-doped, Heb dopio
5	Cyfeiriadedd	<1 1 1> ± 0.5°
6	Trwch μm	(300-400) ±20
7	Gwrthedd Ω-cm	0.003-0.3
8	Cyfeiriadedd Fflat (OF) mm	16±1
9	Fflat Adnabod (IF) mm	8±1
10	Neuadd Symudedd cm2/Vs min	100
11	Crynodiad Cludwr cm^-3	(2-20) E17
12	Dwysedd dadleoli cm^-2max	2.00E+05
13	Gorffen Arwyneb	P/E, P/P
14	Pacio	Cynhwysydd waffer sengl wedi'i selio mewn bag cyfansawdd alwminiwm, blwch carton y tu allan

Fformiwla Llinol	GaP
Pwysau Moleciwlaidd	100.7
Strwythur grisial	Sinc cymysgedd
Ymddangosiad	Oren solet
Ymdoddbwynt	Amh
Berwbwynt	Amh
Dwysedd o 300K	4.14 g/cm³
Bwlch Ynni	2.26 eV
Gwrthedd cynhenid	Amh
Rhif CAS	12063-98-8
Rhif CE	235-057-2

Wafer GaP Gallium Phosphide, gyda cherrynt isel ac effeithlonrwydd uchel mewn allyrru golau, yn addas ar gyfer systemau arddangos optegol fel cost isel coch, oren, a deuodau allyrru golau gwyrdd (LEDs) a backlight o melyn a gwyrdd LCD ac ati a gweithgynhyrchu sglodion LED gyda isel i ganolig disgleirdeb, GaP hefyd yn cael ei fabwysiadu'n eang fel y swbstrad sylfaenol ar gyfer y synwyryddion isgoch a monitro camerâu gweithgynhyrchu.