Silicon Carbide SiC

Disgrifiad

Silicon Carbide Wafer SiC, yn hynod o galed, wedi'i gynhyrchu'n synthetig cyfansoddyn crisialog o silicon a charbon trwy ddull MOCVD, ac arddangosionei fwlch band eang unigryw a nodweddion ffafriol eraill cyfernod isel o ehangu thermol, tymheredd gweithredu uwch, afradu gwres da, colledion newid a dargludiad is, dargludedd thermol mwy effeithlon o ran ynni, a chryfder dadansoddiad cryfach mewn meysydd trydan, yn ogystal â cheryntau mwy crynodedig cyflwr.Gellir darparu Silicon Carbide SiC yng Nghorfforaeth Western Minmetals (SC) yn y maint o 2 ″ 3 '4" a 6 ″ (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) diamedr, gyda n-math, lled-inswleiddio neu waffer ffug ar gyfer diwydiannol a labordy application.Any manyleb addasu ar gyfer yr ateb perffaith i'n cwsmeriaid ledled y byd.

Ceisiadau

Mae wafer SiC Silicon Carbide 4H/6H o ansawdd uchel yn berffaith ar gyfer gweithgynhyrchu llawer o ddyfeisiadau electronig cyflym, tymheredd uchel a foltedd uchel uwchraddol megis deuodau Schottky a SBD, MOSFETs switsio pŵer uchel a JFETs, ac ati. hefyd yn ddeunydd dymunol wrth ymchwilio a datblygu transistorau deubegynol-giât wedi'u hinswleiddio a thyristorau.Fel deunydd lled-ddargludol cenhedlaeth newydd rhagorol, mae wafer Silicon Carbide SiC hefyd yn wasgarwr gwres effeithlon mewn cydrannau LED pŵer uchel, neu fel swbstrad sefydlog a phoblogaidd ar gyfer tyfu haen GaN o blaid archwilio gwyddonol wedi'i dargedu yn y dyfodol.

Ymholiad nawr

Manylion

Tagiau

Manyleb Technegol

Silicon Carbide SiC

Silicon Carbide SiCyn Western Minmetals (SC) gellir darparu Corfforaeth yn y maint o 2 ″ 3 ' 4" a 6 ″ (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) diamedr, gyda n-math, lled-inswleiddio neu waffer ffug ar gyfer cais diwydiannol a labordy .Mae unrhyw fanyleb wedi'i haddasu ar gyfer yr ateb perffaith i'n cwsmeriaid ledled y byd.

Fformiwla Llinol	SiC
Pwysau Moleciwlaidd	40.1
Strwythur grisial	Wurtzite
Ymddangosiad	Solid
Ymdoddbwynt	3103±40K
Berwbwynt	Amh
Dwysedd o 300K	3.21 g/cm³
Bwlch Ynni	(3.00-3.23) eV
Gwrthedd cynhenid	>1E5 Ω-cm
Rhif CAS	409-21-2
Rhif CE	206-991-8

Nac ydw.	Eitemau	Manyleb Safonol
1	Maint SiC	2"	3"	4"	6"
2	Diamedr mm	50.8 0.38	76.2 0.38	100 0.5	150 0.5
3	Dull Twf	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	Math Dargludedd	4H-N, 6H-N, 4H-SI, 6H-SI
5	Gwrthedd Ω-cm	0.015-0.028;0.02-0.1;>1E5
6	Cyfeiriadedd	0°±0.5°;4.0° tuag at <1120>
7	Trwch μm	330±25	330±25	(350-500) ±25	(350-500) ±25
8	Lleoliad Fflat Cynradd	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	Cynradd Hyd Fflat mm	16±1.7	22.2±3.2	32.5±2	47.5±2.5
10	Lleoliad Fflat Eilaidd	Wyneb silicon i fyny: 90 °, clocwedd o'r prif fflat ± 5.0 °
11	Hyd Fflat Uwchradd mm	8±1.7	11.2±1.5	18±2	22±2.5
12	TTV μm ar y mwyaf	15	15	15	15
13	Bow μm uchafswm	40	40	40	40
14	Ystof μm ar y mwyaf	60	60	60	60
15	Edge Exclusion mm max	1	2	3	3
16	Dwysedd meicrbibell cm-2	<5, diwydiannol;<15, labordy;<50, dymi
17	Dadleoli cm-2	<3000, diwydiannol;<20000, labordy;<500000, dymi
18	Garwedd arwyneb nm max	1 (Caboledig), 0.5 (CMP)
19	Craciau	Dim, ar gyfer gradd ddiwydiannol
20	Platiau Hecsagonol	Dim, ar gyfer gradd ddiwydiannol
21	Crafiadau	≤3mm, cyfanswm hyd llai na diamedr swbstrad
22	Sglodion Ymyl	Dim, ar gyfer gradd ddiwydiannol
23	Pacio	Cynhwysydd waffer sengl wedi'i selio mewn bag cyfansawdd alwminiwm.

Silicon Carbide SiC 4H/6Hwafer o ansawdd uchel yn berffaith ar gyfer gweithgynhyrchu llawer o flaengar uwchraddol cyflym, uchel-tymheredd a dyfeisiau electronig foltedd uchel megis Schottky deuodau & SBD, high-power switsio MOSFETs & JFETs, ac ati Mae hefyd yn ddeunydd dymunol yn y ymchwil a datblygu transistorau a thyristorau deubegynol gât wedi'u hinswleiddio.Fel deunydd lled-ddargludol cenhedlaeth newydd rhagorol, mae wafer Silicon Carbide SiC hefyd yn wasgarwr gwres effeithlon mewn cydrannau LED pŵer uchel, neu fel swbstrad sefydlog a phoblogaidd ar gyfer tyfu haen GaN o blaid archwilio gwyddonol wedi'i dargedu yn y dyfodol.