Epitaxial (EPI) Silicon Wafer Featured Image

Wafer Silicon epitaxial (EPI).

Disgrifiad

Wafer Silicon epitaxialneu EPI Silicon Wafer, yn wafer o haen grisial lled-ddargludol a adneuwyd ar wyneb grisial caboledig swbstrad silicon gan dwf epitaxial.Gall yr haen epitaxial fod yr un deunydd â'r swbstrad gan dwf epitaxial homogenaidd, neu haen egsotig gydag ansawdd dymunol penodol gan dyfiant epitaxial heterogenaidd, sy'n mabwysiadu technoleg twf epitaxial yn cynnwys dyddodiad anwedd cemegol CVD, cyfnod hylif epitaxy LPE, yn ogystal â trawst moleciwlaidd epitaxy MBE i gyflawni'r ansawdd uchaf o ddwysedd diffyg isel a garwedd wyneb da.Defnyddir Wafferi Epitaxial Silicon yn bennaf wrth gynhyrchu dyfeisiau lled-ddargludyddion uwch, elfennau lled-ddargludyddion integredig iawn ICs, dyfeisiau arwahanol a phŵer, a ddefnyddir hefyd ar gyfer elfen o ddeuod a transistor neu swbstrad ar gyfer IC megis dyfeisiau math deubegwn, MOS a BiCMOS.Ar ben hynny, mae haenau lluosog epitaxial a ffilm trwchus EPI wafferi silicon yn aml yn cael eu defnyddio mewn microelectroneg, ffotoneg a chymhwyso ffotofoltäig.

Cyflwyno

Gellir cynnig Wafferi Silicon Epitaxial neu Wafer Silicon EPI yn Western Minmetals (SC) Corporation mewn maint o 4, 5 a 6 modfedd (100mm, 125mm, diamedr 150mm), gyda chyfeiriadedd <100>, <111>, gwrthedd epilayer o <1ohm -cm neu hyd at 150ohm-cm, a thrwch epilayer o <1um neu hyd at 150um, i fodloni'r gofynion amrywiol o ran gorffeniad wyneb triniaeth ysgythru neu driniaeth LTO, wedi'i bacio mewn casét gyda blwch carton y tu allan, neu fel manyleb wedi'i addasu i'r ateb perffaith .

Ymholiad nawr

Manylion

Tagiau

Manyleb Technegol

Epi Silicon Wafer

Wafferi Silicon Epitaxialneu EPI Silicon Wafer yn Western Minmetals (SC) Corporation gellir ei gynnig mewn maint o 4, 5 a 6 modfedd (100mm, 125mm, diamedr 150mm), gyda chyfeiriadedd <100>, <111>, gwrthedd epilayer o <1ohm-cm neu hyd at 150ohm-cm, a thrwch epilayer o <1um neu hyd at 150um, i fodloni'r gofynion amrywiol o ran gorffeniad wyneb triniaeth ysgythru neu driniaeth LTO, wedi'i bacio mewn casét gyda blwch carton y tu allan, neu fel manyleb wedi'i addasu i'r ateb perffaith.

Symbol	Si
Rhif Atomig	14
Pwysau Atomig	28.09
Categori Elfen	Metalloid
Grŵp, Cyfnod, Bloc	14, 3, t
Strwythur grisial	Diemwnt
Lliw	Llwyd tywyll
Ymdoddbwynt	1414°C, 1687.15K
Berwbwynt	3265°C, 3538.15 K
Dwysedd o 300K	2.329 g/cm³
Gwrthedd cynhenid	3.2E5 Ω-cm
Rhif CAS	7440-21-3
Rhif CE	231-130-8

Nac ydw.	Eitemau	Manyleb Safonol
1	Nodweddion Cyffredinol
1-1	Maint	4"	5"	6"
1-2	Diamedr mm	100±0.5	125±0.5	150±0.5
1-3	Cyfeiriadedd	<100>, <111>	<100>, <111>	<100>, <111>
2	Nodweddion Haen Epitaxial
2-1	Dull Twf	CVD	CVD	CVD
2-2	Math Dargludedd	P neu P+, N/ neu N+	P neu P+, N/ neu N+	P neu P+, N/ neu N+
2-3	Trwch μm	2.5-120	2.5-120	2.5-120
2-4	Trwch Unffurfiaeth	≤3%	≤3%	≤3%
2-5	Gwrthedd Ω-cm	0.1-50	0.1-50	0.1-50
2-6	Unffurfiaeth Gwrthedd	≤3%	≤5%	-
2-7	Dadleoli cm-2	<10	<10	<10
2-8	Ansawdd Arwyneb	Nid oes unrhyw sglodion, haze na chroen oren ar ôl, ac ati.
3	Trin Nodweddion Swbstrad
3-1	Dull Twf	CZ	CZ	CZ
3-2	Math Dargludedd	P/N	P/N	P/N
3-3	Trwch μm	525-675	525-675	525-675
3-4	Trwch Unffurfiaeth uchafswm	3%	3%	3%
3-5	Gwrthedd Ω-cm	Yn ôl yr angen	Yn ôl yr angen	Yn ôl yr angen
3-6	Unffurfiaeth Gwrthedd	5%	5%	5%
3-7	TTV μm ar y mwyaf	10	10	10
3-8	Bow μm uchafswm	30	30	30
3-9	Ystof μm ar y mwyaf	30	30	30
3-10	DPC cm-2 max	100	100	100
3-11	Proffil Ymyl	Talgrynnu	Talgrynnu	Talgrynnu
3-12	Ansawdd Arwyneb	Nid oes unrhyw sglodion, haze na chroen oren ar ôl, ac ati.
3-13	Gorffen Ochr Gefn	Ysgythru neu LTO (5000±500Å)
4	Pacio	Casét y tu mewn, blwch carton y tu allan.

Wafferi Epitaxial Siliconyn cael eu defnyddio'n bennaf wrth gynhyrchu dyfeisiau lled-ddargludyddion uwch, elfennau lled-ddargludyddion integredig iawn ICs, dyfeisiau arwahanol a phŵer, hefyd yn cael eu defnyddio ar gyfer elfen o ddeuod a transistor neu swbstrad ar gyfer IC megis dyfeisiau math deubegwn, MOS a BiCMOS.Ar ben hynny, mae haenau lluosog epitaxial a ffilm trwchus EPI wafferi silicon yn aml yn cael eu defnyddio mewn microelectroneg, ffotoneg a chymhwyso ffotofoltäig.